第830章芯片进展2

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    设计负责人脸上的自豪感褪去，变得凝重起来。
    他看向了工艺整合负责人和设计-工艺产品线总裁孟良凡。
    冯庭波适时接话：
    “尘风总问到了核心。
    设计只是蓝图，制造才是将蓝图变为现实的关键。
    下面，就请工艺团队和孟总，为我们揭示‘猎人’芯片在14nmFinFET平台上的真实情况。”
    工艺整合负责人深吸一口气，站了起来。
    他操作投影，画面切换到了一张令人眼花缭乱的多维度图表：14nmFinFET工艺平台良率追踪图。
    上面布满了各种颜色的曲线，代表着不同批次的晶圆、不同的测试结构、在不同的关键工艺节点上的良率表现。
    “姚总的问题非常直接，我也直接回答。”他的声音努力保持平静，但能听出紧张。
    “‘猎人’芯片，是基于我们华兴EDA团队与海思共同开发的新一代PDK进行设计和仿真的。
    其仿真模型，大量参考了孟教授团队带来的理论模型和中芯国际产线的早期数据。”
    他指向图表的核心区域，一条原本剧烈波动但近期逐渐趋于平稳的曲线：
    “这就是‘猎人’芯片核心计算模块的MPW试产良率趋势。
    经过五轮艰苦的工艺迭代和设计优化，其综合良率，已从最初的令人绝望的31%，提升并稳定在68.5%。
    最近三个批次的波动范围已经控制在±2%以内。”
    “68.5%？”姚尘风身体前倾，手指停止了敲击，语气中混合着惊讶和欣喜。
    “如果我没记错，上次季度汇报，这个数字还在45%徘徊。
    这个爬坡速度，超出了我们内部的预期。
    怎么做到的？”
    “是的，姚总，提升速度确实超预期。”负责人语气肯定，也有振奋。
    “突破主要来自三个方面：
    首先是孟总团队带来的FinFET三维鳍片形状和应力工程的精确调控模型，优化了载流子迁移率，显著降低了漏电流，这是提升良率和能效的基础。”
    “其次，是在后段互连环节，我们和中芯国际的伙伴共同攻关，采用了新的铜互连阻挡层材料和更低介电常数的低k介质，有效降低了RC延迟和整体芯片功耗。”
    “而第三点，至关重要，”他提高了音量，目光转向陈默。
    “陈总领导的EDA团队，提供了更新一代、精度更高的PDK和仿真模型。
    特别是其中的化学机械抛光（CMP）建模和面向制造的设计（DFM）规则检查，让我们在设计阶段就预先规避了超过30%的潜在制造热点（HOtSpOt）和天线效应问题。
    这大大减少了流片后的反复次数，缩短了良率爬升周期。
    可以说，是设计和工具的进步，反向拉动了制造工艺的成熟。”
    孟良凡这时推了推眼镜，严谨底补充道：
    “庭波总、陈总、姚总，68.5%的良率，对于一条完全依靠我们自身技术力量摸索、且受到诸多外部限制的14nmFinFET工艺线而言，是一个里程碑，它证明了技术路线的可行性。
    这标志着我们已初步掌握了中端性能芯片的自主可控设计制造能力。”
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    他话锋一转，依旧保持着客观：
    “但我们必须清醒，这与台积电7nm成熟制程超过95%的良率相比，差距巨大。
    这意味着我们的成本劣势短期内难以消除，可能高出30%-50%。
    同时，受限于当前工艺水平，芯片的峰值性能和高频下的功耗，与国际最先进水平存在一代左右的差距。”
    冯庭波接过话头，目光灼灼地看向姚尘风，语气沉稳而决断：
    “尘风总，差距存在，但意义更大。
    这意味着我们的手中有了一张牌。
    我正式提议，启动‘猎人计划’。
    下一代荣耀Play系列、荣耀X系列，以及部分平板和物联网产品的核心芯片，必须有一部分型号切换到这个自研平台。
    初期可能会牺牲一部分利润和极致的性能体验，但我们必须迈出这一步，在实践中打磨流程，积累数据，建立我们对自主芯片的信心体系和供应链。”
    姚尘风没有立刻回答，他再次低头，手指在平板电脑上飞快地运算着。
    他模拟着各种成本、定价、市场和风险场景。
    会议室里鸦雀无声，只有他指尖敲击屏幕的细微声响。
    几分钟后，他抬起头，最终拍板：
    “同意！风险可控，战略价值远超短期财务表现。
    海思尽快交付最终GDSII，终端研发、测试和供应链这边我会亲自盯，立即启动‘猎人计划’。
    但我有三个条件：
    第一，海思和制造端必须立军令状，保证芯片的绝对稳定性和可靠性，中端机用户规模大，出大规模质量问题就是品牌灾难。
    第二，财务部牵头，核算成本，初期亏损由集团战略专项基金覆盖，但必须给出明确的良率提升和成本下降路径图，我要在一年内看到成本逼近可接受区间。
    第三，”
    他顿了顿，语气加重，目光扫过冯庭波和陈默。
    “这仅仅是‘备胎’和练兵场，我们最终的目标是旗舰机。
    高端的N+1工艺进度，绝不能因为14nmFinFET的进展而有丝毫松懈。
    我要的是能用在下一代Mate和P系列上，能正面抗衡高通和苹果的芯片。
    N+1的进展，现在到底是什么情况？”
    姚尘风的追问，让刚刚稍有缓和的气氛再次激起千层浪。
    所有人的心都提了起来，目光聚焦在那位工艺整合负责人身上。
    负责人的表情瞬间变得更加严峻，他甚至下意识地深吸了一口气，才操作电脑。
    投影画面切换到一个更加复杂、数据点更加稀疏且波动剧烈的图表：N+1工艺良率追踪图。
    那如同癫痫患者心跳般的曲线，让所有懂行的人心里都是一沉。
    “姚总、冯总，N+1工艺，我们面临的是一堵技术界的‘叹息之壁’。”他的声音干涩。
    “它的目标是实现比14nm更高的晶体管密度和能效比，这要求我们在晶体管架构、新材料、新集成技术上都取得突破。
    目前，我们在三个核心领域遇到了巨大的、近乎原理性的困难。”
    他逐一指出图表上的几个致命低谷：

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